豐度
類似於UV檢測器上的吸光度在背景值上信號的垂直增加,表示某特定離子的強度(當x軸被校正為質量單位)或存在的總離子強度(當水平軸被校正為時間或掃描)。單個被測物或化合物產生的所有碎片離子分別與基峰相比的值(每個離子的相對豐度)被作為該化合物的特定碎裂模式,進行質譜圖。
準確測定的質量
以一定誤差值測得的化合物質量數,如測量誤差為5ppm。精確測定的質量通常也用於指具體的技術,而不是測量的質量。精確質量是化合物質量的準確理論值。
常壓固體分析探針(ASAP)
在1970年代,基於Horning的工作,由McEwen和McKay開發了這種形式的樣品電離途徑,使用標準的APCI等離子體,通過將樣品放置入加熱的氮氣流中,形成離子。加熱揮發非常多的樣品,通過與APCI等deng離li子zi體ti形xing成cheng的de亞ya穩wen定ding離li子zi之zhi間jian的de電dian荷he交jiao換huan形xing成cheng離li子zi。使shi用yong質zhi量liang精jing度du高gao的de質zhi譜pu儀yi,能neng從cong複fu雜za混hun合he物wu中zhong相xiang對dui清qing楚chu的de鑒jian定ding出chu低di含han量liang水shui平ping的de單dan個ge化hua合he物wu。也ye可ke參can見jianDART和DESI。
大氣壓電離(API)
該專業用語通常指的是,諸如電噴霧電離(ESI)、大氣壓化學電離(APCI)和其它在大氣壓下操作的技術。
大氣壓化學電離(APCI)
原本稱為溶劑介導的電噴霧,通常有效的應用於直接脫離溶液不易電離的中性分子。APCI在zai尖jian銳rui的de針zhen尖jian提ti供gong電dian流liu,被bei放fang置zhi在zai進jin入ru的de氣qi霧wu流liu中zhong,以yi建jian立li來lai自zi溶rong液ye自zi身shen的de亞ya穩wen離li子zi等deng離li子zi體ti,當dang被bei分fen析xi物wu通tong過guo等deng離li子zi體ti時shi,將jiang來lai自zi這zhe些xie離li子zi的de電dian荷he傳chuan遞di給gei被bei分fen析xi物wu。加jia熱reLC或溶劑流通過的探針,形成氣溶膠。
常壓氣相色譜
由DuPont的Chales McEwen於2002年開發而來。使用加熱的轉移管線,GC流出物能夠引入到質譜儀的標準API(或ESI/APCI)離子源。這便於那些適合用GC分析的化合物簡單方便地從ESI向GC轉換。電離方式可以是APCI或APPI。
大氣壓光電離(APPI)
1980年代已被開發出,但是在2000年後,發現氪氣燈能夠產生10eV(大約)足夠的光子能量,電離諸如PAH和甾體等通常不適合采用ESI和APCI電離的非極性被測物,這項技術才被商業化。
基峰
通常指與波譜圖中其它峰相比最強的峰;在能給出大量結構信息的電離技術中,比如EI,基峰可能不是母離子或分子離子。
校正
通常以恒定流速導入已知的物質,質譜儀軟件按指定的過濾條件(例如,四級杆質譜儀的RF/DC比率)采集信號。將采集信號與參照文件比較後,在軟件中建立校對查詢表。然後將校正表作為通過四級杆質荷比的基準,分配具體數值。
電荷殘留機製
該機製與電噴霧電離相關;1968年由Malcolm Dole第(di)一(yi)次(ci)提(ti)出(chu)該(gai)理(li)論(lun),在(zai)該(gai)理(li)論(lun)中(zhong),他(ta)假(jia)定(ding)當(dang)小(xiao)液(ye)滴(di)揮(hui)發(fa)時(shi),其(qi)電(dian)荷(he)仍(reng)然(ran)保(bao)持(chi)不(bu)變(bian)。液(ye)滴(di)的(de)表(biao)麵(mian)張(zhang)力(li)最(zui)終(zhong)不(bu)能(neng)平(ping)衡(heng)帶(dai)電(dian)電(dian)荷(he)的(de)斥(chi)力(li),將(jiang)小(xiao)液(ye)滴(di)炸(zha)裂(lie)成(cheng)很(hen)多(duo)的(de)更(geng)小(xiao)液(ye)滴(di)。持(chi)續(xu)發(fa)生(sheng)庫(ku)侖(lun)分(fen)解(jie),直(zhi)到(dao)小(xiao)液(ye)滴(di)隻(zhi)含(han)單(dan)一(yi)的(de)被(bei)測(ce)物(wu)離(li)子(zi)。當(dang)溶(rong)劑(ji)從(cong)最(zui)後(hou)形(xing)成(cheng)的(de)小(xiao)液(ye)滴(di)中(zhong)揮(hui)發(fa)掉(diao),將(jiang)形(xing)成(cheng)氣(qi)相(xiang)離(li)子(zi)。
化學電離(CI)
通過導入反應試劑,在低真空(0.4托)誘發碰撞,以增加分子離子的產率和提高靈敏度;因為這種電離,相比於電子撞擊電離,是一能量非常低的過程,所得碎片減少,通常稱為軟電離技術。可參見電子電離中的相關內容。
碰撞誘導解離(CID)
也稱碰撞激活解離(CAD),是氣相中破碎成分子離子的一種機製,分子離子通過在真空區域加速(采用電勢)到高動能,隨後與中性分子,如氦、氮或氬,碰撞,碎裂形成碎片離子。一部分動能通過碰撞轉化或內化,結果使化學鍵斷裂,分子離子碎裂為更小的片段。一些類似的‘特殊目的'的破碎方法,包括電子轉移解離(ETD),電子捕獲解離(ECD)。
實時直接分析(DART)
2002年,由Robert Cody和其它研究人員開發出,在應用上類似於DESI,雖然在功能上更接近於APCI。樣品放置在一種底物之上,通過類似於APCI的過程,形成的高能粒子,轟擊樣品。更確切的說,通過等離子體形成亞穩離子,再由加熱後的氮氣,直接將亞穩離子輸送到靶點。
延時提取 (DE)
為MALDI-TOF質譜儀開發的一項技術,在離子形成後,加速離子進入飛行管之前,冷卻"並聚焦離子大約150納秒。與未冷卻的離子相比,冷卻的離子具有較低的動能分布,當冷卻離子進入TOF分析器時,冷卻離子最終降低離子時間展寬,結果增加了分辨率和準確度。DE對大分子不具有顯著的效益(例如,蛋白質>30000Da)。
解離-電噴霧電離 (DESI)
在2002年,Graham Cooks第一次描述了該電離技術,將其作為從惰性基質表麵(通常條件下)產生軟次級離子的方式。該技術類似於MALDI,使用ESI探針,以相對於惰性基質表麵大約50度的入射角瞄準,使離子化學噴射,進入質譜儀。已表明不需樣品製備,能得到直接來自很多極性和非極性表麵材料的信息(皮膚,完整水果上檢測藥物殘留等等)。
矽上的脫吸電離(DIOS)
曾經被視為MALDI製備樣品的基質替代物,尤其對小分子,因為基底(裸露的矽表麵)不產生幹擾離子。在1990年代後期,其商業潛力減小,因為板的製造存在難處,並且表麵容易被汙染。
直流電流
當描述四級杆作為質量過濾器怎樣工作時,這一專業用語通常與"射頻"聯合使用。在1953年,Wolfgang Paul證明在4根平行杆之間,將射頻(RF)和恒定直流電流(DC)電勢疊加,可作為質量分離器或過濾器,隻有特定質量範圍的離子,可以恒定振幅振蕩,通過四極杆而被分析器收集。
電子電離 (EI)
有時錯誤地稱為"電子撞擊"電離,這種電離技術是電子與顆粒(原子或分子)相互作用的結果;該技術被認為是‘硬'電離技術,因為電離過程中傳遞大量能量,破壞分子內部化學鍵,破壞這些化學鍵需要高達千卡/摩爾的能量。電離電壓(通常70eV)指的是引起電子加速的電壓差,該電壓誘導電子電離。不同於CI,EI通常在高真空下工作,以避免不可控的碰撞。分析器也在非常高的真空下工作(10-4到10-6托)。
電噴霧電離(ESI)
為所謂的‘軟'電離技術。大氣壓電離(API)是已被廣泛使用的技術。自從1980年代後期以來,該技術顯示出顯著的商業價值,這要歸功於,對引導流體在其內部流動的導電管(不鏽鋼毛細管)施加過多的能量(電壓範圍在3-5千伏),當液體從導電管經過時,超過瑞利極限,形成氣溶膠而被射出,產生包含離子,半徑大約為10微米的氣溶膠液滴。通常離子被質子化,以M+H的陽離子模式或M-H的負離子模式,被檢測。
元素分析
離子、分子或自由基的名義質量是,其基本組成元素名義質量的總和。準確質量測定基於計算的基本組成,但是‘元素分析'通常針對無機材料-隻確定基本的組成,不確定結構-在一些情況下,可分析固體金屬樣品。誘導偶合等離子體(ICP)源通常通過放電(或較低能量的發光放電)電離樣品。在萬億分之一水平使用精密儀器檢測則不常見。
精確質量
化合物質量的準確理論值。準確測定質量是化合物的質量測定值,存在測量誤差,如5ppm。準確測定質量也通常是指具體的技術,而不是測量的質量。
快原子轟擊(FAB)
是較早的所謂的軟電離技術之一,轟擊的結果通常有密集的分子離子,並且幾乎不發生碎裂。被測物放入流動的基質中(通常是甘油),或更常見置於探針的頂端,然後將其置於高能原子的路徑上-通常是氙或化銫。該技術對分子量大於10000原yuan子zi單dan位wei的de生sheng物wu分fen子zi有you效xiao,但dan可ke與yu扇shan形xing磁ci場chang聯lian用yong的de特te點dian更geng加jia重zhong要yao,使shi用yong這zhe種zhong聯lian用yong技ji術shu,能neng夠gou確que定ding準zhun確que的de質zhi量liang,比bi如ru新xin合he成cheng的de肽tai。靈ling敏min度du可ke能neng非fei常chang高gao(低飛摩爾水平)。這項技術可能難於掌握,甘油汙染質譜儀離子源,甘油離子的存在,可能掩蓋較低的質量。自從ESI引入後,該技術很少使用。
場電離 (FI)
FI為(wei)軟(ruan)電(dian)離(li)技(ji)術(shu),對(dui)大(da)量(liang)的(de)各(ge)種(zhong)被(bei)測(ce)物(wu),幾(ji)乎(hu)沒(mei)有(you)碎(sui)裂(lie)作(zuo)用(yong)。該(gai)技(ji)術(shu)對(dui)石(shi)油(you)化(hua)學(xue)方(fang)麵(mian)的(de)應(ying)用(yong)尤(you)其(qi)顯(xian)著(zhu),在(zai)這(zhe)個(ge)領(ling)域(yu)裏(li),采(cai)用(yong)其(qi)它(ta)電(dian)離(li)技(ji)術(shu)會(hui)有(you)局(ju)限(xian)性(xing),因(yin)為(wei)存(cun)在(zai)碎(sui)裂(lie)(EI)問題或其電離特點複雜(CI)。daigaodianyadeyigenxijinshusi,zaiyoujihuahewuzhengqizhong,biruyin,beijiare。chanshengdechengshutuzhuangchenjizaijinshusibiaomiandejiegou,beirefenjie,shengchengfeichangxianxidechuandaoxiansi。dangzaifeichangxianxidedian,shijiagaodianshi,jiangzaiqijianduanchanshengfeichangqiangdedianchang,zhejiutigonglefashengchangdianlidetiaojian。yangpinfenzitiejintongguoFI發射極形成的大量碳樹突狀結晶的尖端。FI發射極與一對空提取杆貼近放置。發射極為地電勢,提取杆施加相對高的電壓(12kv),這樣在碳樹突狀結晶的尖端周圍,形成非常高的電場。GC柱緊靠發射極金屬絲,並與其成一直線。在電場的作用下,出現分子價電子的量子通道,釋放出離子基。
流動注射分析(FIA)
這是通過LC進樣器導入樣品的分析(通常事先純化,去掉幹擾物,減少結果譜圖的複雜性),但是不接色譜柱。LC隻作為樣品導入裝置。
細絲
在電子電離中,細絲是電子的來源,電子與被測物相互作用,引起電離。通常由金屬絲製成(扁平或圓形),在電流加熱時,釋放出70eV的電子。
碎片離子
碎sui片pian離li子zi是shi由you母mu體ti分fen子zi離li子zi發fa生sheng碎sui裂lie產chan生sheng。解jie離li出chu的de所suo有you碎sui片pian的de質zhi量liang數shu之zhi和he等deng於yu母mu離li子zi的de質zhi量liang數shu,在zai指zhi定ding的de條tiao件jian下xia,以yi可ke預yu測ce的de方fang式shi,斷duan裂lie相xiang同tong的de內nei鍵jian,分fen子zi碎sui裂lie方fang式shi是shi可ke以yi預yu測ce的de(碎片離子相同,其相對豐度也相同)。也可參見從具體MRM試驗得到的產物(子代)離子。
氣相離子
為了質譜儀能夠工作和采集,被測物必須實現從靜止狀態像離子狀態轉換。如該手冊所述,有很多途徑完成這一轉換-一些途徑采用比較激烈方式產生碎片,而另外的一些途徑能保持被測物完好。能量作用於被測物,在氣相產生離子,跟在LC中根據冷凝相用於被測物分離的過程完全相反。
均方根誤差測定(RMS)
為評估儀器質量準確測量功能(類似於預期使用)的綜合方法,數值上等於均方根或RMS誤差。RMS誤差按下列關係計算,在此Eppm是ppm誤差,n是考察質量的個數。RMS =n
掃描
通過計算機調整控製電壓(DC和RF),在指定的範圍內,隨時間掃描(檢測)給gei定ding質zhi量liang範fan圍wei內nei的de任ren何he帶dai電dian顆ke粒li。能neng夠gou檢jian測ce多duo種zhong帶dai電dian離li子zi則ze會hui降jiang低di靈ling敏min度du,因yin為wei檢jian測ce器qi能neng夠gou響xiang應ying一yi些xie目mu標biao離li子zi,但dan檢jian測ce器qi卻que被bei設she置zhi在zai其qi它ta的de檢jian測ce範fan圍wei。參can見jian選xuan定ding離li子zi的de監jian測ce,四si級ji杆gan和he離li子zi電dian流liu章zhang節jie的de內nei容rong。
選定離子的監測(SIM)
也稱為選定離子的記錄(SIR);也可參閱四級杆和掃描。
在四級杆上,能夠調節DC和RF電壓設置,僅讓一個帶電顆粒通過(單質荷比)到達檢測器。結果噪音顯著減少,當靈敏度顯著增加時,出現信號(此m/z的所有顆粒始終被檢測),這完全以檢測不到混合物中的其它質荷比的顆粒為代價。熱噴霧雖然文獻報道這種類型的接口已有一段時間,但是直到1980年代早期才普及。Vestal和Blakely應值得讚賞,因為他們在LC和MS之間首次建立了實際可行,完全商業化的接口技術。大約流速1mL/min的LC溶劑在探針中,被加熱(絕緣管大約1-2英尺長,75-150微米的內徑),形成的蒸汽噴入質譜儀。質譜儀中的氣溶膠液滴被進一步去溶劑,形成離子,進入分析器(以適合的角度噴射),會受到透鏡電壓的影響。參見掃描,離子電流。
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