豐度

 

類似於UV檢測器上的吸光度在背景值上信號的垂直增加
，表示某特定離子的強度(當x軸被校正為質量單λ)或存在的總離子強度(當水平軸被校正為時間或掃描)。單個被測物或化合物產生的所有碎片離子分別與基峰相比的值(ÿ個離子的相對豐度)被作為該化合物的特定碎裂模式，進行質譜圖。

 

準確測定的質量

 

以一定誤差值測得的化合物質量數，如測量誤差為5ppm。精確測定的質量通常也用於指具體的技術，而不是測量的質量。精確質量是化合物質量的準確理論值。

 

常壓固體分析探針(ASAP)

 

在1970年代
，基於Horning的工作

，由McEwen和McKay開發了這種形式的樣品電離途徑，使用標準的APCI等離子體
，通過將樣品放置入加熱的氮氣流中，形成離子。加熱揮發非常多的樣品，通過與APCIdenglizitixingchengdeyawendinglizizhijiandedianhejiaohuanxingchenglizi。shiyongzhiliangjingdugaodezhipuyi
，nengcongfuzahunhewuzhongxiangduiqingchudejiandingchudihanliangshuipingdedangehuahewu。yekecanjianDART和DESI。

 

大氣壓電離(API)

 

該專業用語通常指的是
，諸如電噴霧電離(ESI)
、大氣壓化學電離(APCI)和其它在大氣壓下操作的技術。

 

大氣壓化學電離(APCI)

 

原本稱為溶劑介導的電噴霧，通常有效的應用於直接脫離溶液不易電離的中性分子。APCI在zai尖jian銳rui的de針zhen尖jian提ti供gong電dian流liu，被bei放fang置zhi在zai進jin入ru的de氣qi霧wu流liu中zhong，以yi建jian立li來lai自zi溶rong液ye自zi身shen的de亞ya穩wen離li子zi等deng離li子zi體ti，當dang被bei分fen析xi物wu通tong過guo等deng離li子zi體ti時shi，將jiang來lai自zi這zhe些xie離li子zi的de電dian荷he傳chuan遞di給gei被bei分fen析xi物wu。加jia熱reLC或溶劑流通過的探針，形成氣溶膠。

 

常壓氣相色譜

 

由DuPont的Chales McEwen於2002年開發而來。使用加熱的轉移管線，GC流出物能夠引入到質譜儀的標準API(或ESI/APCI)離子源。這便於那些適合用GC分析的化合物簡單方便地從ESI向GC轉換。電離方式可以是APCI或APPI。

 

大氣壓光電離(APPI)

 

1980年代已被開發出
，但是在2000年後，發現氪氣燈能夠產生10eV（大約）足夠的光子能量，電離諸如PAH和甾體等通常不適合采用ESI和APCI電離的非極性被測物
，這項技術才被商業化。

 

基峰

 

通常指與波譜圖中其它峰相比最強的峰；在能給出大量結構信息的電離技術中，比如EI，基峰可能不是母離子或分子離子。

 

校正

 

通常以恒定流速導入已知的物質

，質譜儀軟件按指定的過濾條件(例如，四級杆質譜儀的RF/DC比率)采cai集ji信xin號hao。將jiang采cai集ji信xin號hao與yu參can照zhao文wen件jian比bi較jiao後hou

，在zai軟ruan件jian中zhong建jian立li校xiao對dui查zha詢xun表biao。然ran後hou將jiang校xiao正zheng表biao作zuo為wei通tong過guo四si級ji杆gan質zhi荷he比bi的de基ji準zhun
，分fen配pei具ju體ti數shu值zhi。可ke參can見jian"定量和校對"章節。

 

電荷殘留機製

 

該機製與電噴霧電離相關；1968年由Malcolm Dole第(di)一(yi)次(ci)提(ti)出(chu)該(gai)理(li)論(lun)，在(zai)該(gai)理(li)論(lun)中(zhong)，他(ta)假(jia)定(ding)當(dang)小(xiao)液(ye)滴(di)揮(hui)發(fa)時(shi)，其(qi)電(dian)荷(he)仍(reng)然(ran)保(bao)持(chi)不(bu)變(bian)。液(ye)滴(di)的(de)表(biao)麵(mian)張(zhang)力(li)最(zui)終(zhong)不(bu)能(neng)平(ping)衡(heng)帶(dai)電(dian)電(dian)荷(he)的(de)斥(chi)力(li)，將(jiang)小(xiao)液(ye)滴(di)炸(zha)裂(lie)成(cheng)很(hen)多(duo)的(de)更(geng)小(xiao)液(ye)滴(di)。持(chi)續(xu)發(fa)生(sheng)庫(ku)侖(lun)分(fen)解(jie)
，直(zhi)到(dao)小(xiao)液(ye)滴(di)隻(zhi)含(han)單(dan)一(yi)的(de)被(bei)測(ce)物(wu)離(li)子(zi)。當(dang)溶(rong)劑(ji)從(cong)最(zui)後(hou)形(xing)成(cheng)的(de)小(xiao)液(ye)滴(di)中(zhong)揮(hui)發(fa)掉(diao)，將(jiang)形(xing)成(cheng)氣(qi)相(xiang)離(li)子(zi)。

 

化學電離(CI)

 

通過導入反應試劑，在低真空(0.4托)誘發碰撞，以增加分子離子的產率和提高靈敏度；因為這種電離，相比於電子撞擊電離，是一能量非常低的過程，所得碎片減少
，通常稱為軟電離技術。可參見電子電離中的相關內容。

 

碰撞誘導解離(CID)

 

也稱碰撞激活解離(CAD)，是氣相中破碎成分子離子的一種機製

，分子離子通過在真空區域加速(采用電勢)到高動能
，隨後與中性分子，如氦、氮或氬，碰撞，碎裂形成碎片離子。一部分動能通過碰撞轉化或內化
，結果使化學鍵斷裂，分子離子碎裂為更小的片段。一些類似的‘特殊目的'的破碎方法，包括電子轉移解離(ETD)
，電子捕獲解離(ECD)。

 

實時直接分析(DART)

 

2002年
，由Robert Cody和其它研究人員開發出，在應用上類似於DESI，雖然在功能上更接近於APCI。樣品放置在一種底物之上
，通過類似於APCIdeguocheng

，xingchengdegaonenglizi，hongjiyangpin。gengqueqiedeshuo，tongguodenglizitixingchengyawenlizi，zaiyoujiarehoudedanqi，zhijiejiangyawenlizishusongdaobadian。yekecanjianchangyaGC和ASAP中列出的McEwen的研究工作。

 

延時提取 (DE)

 

為MALDI-TOF質譜儀開發的一項技術，在離子形成後，加速離子進入飛行管之前
，冷卻"並聚焦離子大約150納秒。與δ冷卻的離子相比
，冷卻的離子具有較低的動能分布，當冷卻離子進入TOF分析器時，冷卻離子最終降低離子時間展寬，結果增加了分辨率和準確度。DE對大分子不具有顯著的效益(例如，蛋白質>30000Da)。

 

解離-電噴霧電離 (DESI)

 

在2002年
，Graham Cooks第一次描述了該電離技術，將其作為從惰性基質表麵(通常條件下)產生軟次級離子的方式。該技術類似於MALDI
，使用ESI探針，以相對於惰性基質表麵大約50度的入射角瞄準，使離子化學噴射
，進入質譜儀。已表明不需樣品製備，能得到直接來自很多極性和非極性表麵材料的信息(皮膚，完整水果上檢測藥物殘留等等)。也可參見常壓GC和ASAP中列出的McEwen的研究工作。

 

矽上的脫吸電離(DIOS)

 

曾經被視為MALDI製備樣品的基質替代物
，尤其對小分子，因為基底(裸¶的矽表麵)不產生幹擾離子。在1990年代後期
，其商業潛力減小
，因為板的製造存在難處
，並且表麵容易被汙染。

 

直流電流

 

當描述四級杆作為質量過濾器怎樣工作時，這一專業用語通常與"射頻"聯合使用。在1953年，Wolfgang Paul證明在4根平行杆之間
，將射頻(RF)和恒定直流電流(DC)電勢疊加，可作為質量分離器或過濾器
，隻有特定質量範Χ的離子，可以恒定振幅振蕩
，通過四極杆而被分析器收集。

 

電子電離 (EI)

 

有時錯誤地稱為"電子撞擊"電離，這種電離技術是電子與顆粒(原子或分子)相互作用的結果
；該技術被認為是‘硬'電離技術，因為電離過程中傳遞大量能量，破壞分子內部化學鍵，破壞這些化學鍵需要高達千卡/摩爾的能量。電離電壓(通常70eV)指的是引起電子加速的電壓差
，該電壓誘導電子電離。不同於CI
，EI通常在高真空下工作，以避免不可控的碰撞。分析器也在非常高的真空下工作(10-4到10-6托)。

 

電噴霧電離(ESI)

 

為所ν的‘軟'電離技術。大氣壓電離(API)是已被廣泛使用的技術。自從1980年代後期以來

，該技術顯示出顯著的商業價值

，這要歸功於，對引導流體在其內部流動的導電管(不鏽鋼ë細管)施加過多的能量(電壓範Χ在3-5千伏)
，當液體從導電管經過時，超過瑞利極限，形成氣溶膠而被射出，產生包含離子
，半徑大約為10微米的氣溶膠液滴。通常離子被質子化
，以M+H的陽離子模式或M-H的負離子模式
，被檢測。

 

元素分析

 

離子、分子或自由基的名義質量是，其基本組成元素名義質量的總和。準確質量測定基於計算的基本組成，但是‘元素分析'通常針對無機材料-隻確定基本的組成，不確定結構-在一些情況下
，可分析固體金屬樣品。誘導偶合等離子體(ICP)源通常通過放電(或較低能量的發光放電)電離樣品。在萬億分之一水平使用精密儀器檢測則不常見。

 

精確質量

 

化合物質量的準確理論值。‘準確測定質量'是化合物的質量測定值，存在測量誤差，如5ppm。準確測定質量也通常是指具體的技術，而不是測量的質量。

 

快原子轟擊(FAB)

 

是較早的所ν的軟電離技術之一，轟擊的結果通常有密集的分子離子，並且幾乎不發生碎裂。被測物放入流動的基質中(通常是甘油)，或更常見置於探針的頂端，然後將其置於高能原子的·徑上-通常是氙或化銫。該技術對分子量大於10000原子單λdeshengwufenziyouxiao，dankeyushanxingcichanglianyongdetediangengjiazhongyao

，shiyongzhezhonglianyongjishu，nenggouquedingzhunquedezhiliang，biruxinhechengdetai。lingmindukenengfeichanggao(低飛摩爾水平)。這項技術可能難於掌握，甘油汙染質譜儀離子源

，甘油離子的存在，可能掩蓋較低的質量。自從ESI引入後，該技術很少使用。

 

場電離 (FI)

 

FI為軟電離技術
，對大量的各種被測物
，幾乎û有碎裂作用。該技術對石油化學方麵的應用尤其顯著，在這個領域裏

，采用其它電離技術會有局限性
，因為存在碎裂(EI)問題或其電離特點複雜(CI)。帶(dai)高(gao)電(dian)壓(ya)的(de)一(yi)根(gen)細(xi)金(jin)屬(shu)絲(si)，在(zai)有(you)機(ji)化(hua)合(he)物(wu)蒸(zheng)汽(qi)中(zhong)
，比(bi)如(ru)茚(yin)，被(bei)加(jia)熱(re)。產(chan)生(sheng)的(de)呈(cheng)樹(shu)突(tu)狀(zhuang)沉(chen)積(ji)在(zai)金(jin)屬(shu)絲(si)表(biao)麵(mian)的(de)結(jie)構(gou)，被(bei)熱(re)分(fen)解(jie)
，生(sheng)成(cheng)非(fei)常(chang)纖(xian)細(xi)的(de)傳(chuan)導(dao)纖(xian)絲(si)。當(dang)在(zai)非(fei)常(chang)纖(xian)細(xi)的(de)點(dian)，施(shi)加(jia)高(gao)電(dian)勢(shi)，將(jiang)在(zai)其(qi)尖(jian)端(duan)產(chan)生(sheng)非(fei)常(chang)強(qiang)的(de)電(dian)場(chang)，這(zhe)就(jiu)提(ti)供(gong)了(le)發(fa)生(sheng)場(chang)電(dian)離(li)的(de)條(tiao)件(jian)。樣(yang)品(pin)分(fen)子(zi)貼(tie)近(jin)通(tong)過(guo)FI發射極形成的大量碳樹突狀結晶的尖端。FI發射極與一對空提取杆貼近放置。發射極為地電勢，提取杆施加相對高的電壓(12kv)，這樣在碳樹突狀結晶的尖端周Χ，形成非常高的電場。GC柱緊靠發射極金屬絲，並與其成一直線。在電場的作用下
，出現分子價電子的量子通道，釋放出離子基。

 

流動注射分析(FIA)

 

這是通過LC進樣器導入樣品的分析(通常事先純化，去掉幹擾物，減少結果譜圖的複雜性)，但是不接色譜柱。LC隻作為樣品導入裝置。

 

細絲

 

在電子電離中
，細絲是電子的來源，電子與被測物相互作用
，引起電離。通常由金屬絲製成(扁平或圓形)
，在電流加熱時

，釋放出70eV的電子。

 

碎片離子

 

碎(sui)片(pian)離(li)子(zi)是(shi)由(you)母(mu)體(ti)分(fen)子(zi)離(li)子(zi)發(fa)生(sheng)碎(sui)裂(lie)產(chan)生(sheng)。解(jie)離(li)出(chu)的(de)所(suo)有(you)碎(sui)片(pian)的(de)質(zhi)量(liang)數(shu)之(zhi)和(he)等(deng)於(yu)母(mu)離(li)子(zi)的(de)質(zhi)量(liang)數(shu)
，在(zai)指(zhi)定(ding)的(de)條(tiao)件(jian)下(xia)
，以(yi)可(ke)預(yu)測(ce)的(de)方(fang)式(shi)

，斷(duan)裂(lie)相(xiang)同(tong)的(de)內(nei)鍵(jian)
，分(fen)子(zi)碎(sui)裂(lie)方(fang)式(shi)是(shi)可(ke)以(yi)預(yu)測(ce)的(de)(碎片離子相同，其相對豐度也相同)。也可參見從具體MRM試驗得到的產物(子代)離子。

 

氣相離子

 

為了質譜儀能夠工作和采集
，被測物必須實現從靜止狀態像離子狀態轉換。如該手冊所述
，有很多途徑完成這一轉換-一些途徑采用比較激烈方式產生碎片
，而另外的一些途徑能保持被測物完好。能量作用於被測物，在氣相產生離子，跟在LC中根據冷凝相用於被測物分離的過程完全相反。

 

均方根誤差測定(RMS)

 

為評估儀器質量準確測量功能(類似於預期使用)的綜合方法，數值上等於均方根或RMS誤差。RMS誤差按下列關係計算，在此Eppm是ppm誤差，n是考察質量的個數。RMS =n

 

掃描

 

通過計算機調整控製電壓(DC和RF)，在指定的範Χ內，隨時間掃描(檢測)給定質量範Χ內的任何帶電顆粒。能夠檢測多種帶電離子則會降低靈敏度，因為檢測器能夠響應一些目標離子，但檢測器卻被設置在其它的檢測範Χ。參見選定離子的監測，四級杆和離子電流章節的內容。

 

選定離子的監測(SIM)

 

也稱為選定離子的記¼(SIR)
；也可參閱四級杆和掃描。

在四級杆上，能夠調節DC和RF電壓設置，僅讓一個帶電顆粒通過(單質荷比)到達檢測器。結果噪音顯著減少
，當靈敏度顯著增加時，出現信號(此m/z的所有顆粒始終被檢測)，這完全以檢測不到混合物中的其它質荷比的顆粒為代價。熱噴霧雖然文獻報道這種類型的接口已有一段時間，但是直到1980年代早期才普及。Vestal和Blakely應值得讚賞，因為他們在LC和MS之間首次建立了實際可行，完全商業化的接口技術。大約流速1mL/min的LC溶劑在探針中，被加熱(絕緣管大約1-2英尺長，75-150微米的內徑)，形成的蒸汽噴入質譜儀。質譜儀中的氣溶膠液滴被進一步去溶劑
，形成離子，進入分析器(以適合的角度噴射)，會受到透鏡電壓的影響。參見掃描，離子電流。